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人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (5): 1163-1167.
段磊;闵嘉华;梁小燕;张继军;凌云鹏;杨柳青;邢晓兵;王林军
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RSS出版日期:2016-05-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2016-05-15
Published:2021-01-20
摘要： 采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体.测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试.结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部.
中图分类号:
段磊;闵嘉华;梁小燕;张继军;凌云鹏;杨柳青;邢晓兵;王林军. 溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(5): 1163-1167.
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