光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (6): 1440-1444.

光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究

吴庆辉;唐慧丽;苏良碧;罗平;钱小波;吴锋;徐军

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;同济大学物理科学与工程学院,上海200092;上海蓝宝石单晶工程技术研究中心,上海201800

出版日期:2016-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(91333106);上海科委科技攻关(13521102700);上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹)(14DZ2252500)

Study on Growth and Properties of Ge∶β-Ga2O3 Single Crystal by Optical Floating Zone Method

WU Qing-hui;TANG Hui-li;SU Liang-bi;LUO Ping;QIAN Xiao-bo;WU Feng;XU Jun

Online:2016-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用光学浮区法生长了尺寸φ8mm×40 mm的Ge∶β-Ga2O3单晶.XRD物相分析表明Ge∶β-Ga2O3单晶仍属于单斜晶系.为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×104/cm2.光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga2O3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光.电学性能测试得出,Ge∶β-Ga2O3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga2O3单晶的电学性能的确有改善.

中图分类号:

吴庆辉;唐慧丽;苏良碧;罗平;钱小波;吴锋;徐军. 光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(6): 1440-1444.

WU Qing-hui;TANG Hui-li;SU Liang-bi;LUO Ping;QIAN Xiao-bo;WU Feng;XU Jun. Study on Growth and Properties of Ge∶β-Ga2O3 Single Crystal by Optical Floating Zone Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(6): 1440-1444.

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