硅纳米线的制备及其光学性能的研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (8): 1998-2002.

硅纳米线的制备及其光学性能的研究

陈亚婷;王金良;陈泽升;秦韶阳;薄乾红

北京航空航天大学物理科学与核能工程学院,北京,100191

出版日期:2016-08-15 发布日期:2021-01-20

Preparation and Optical Properties of Silicon Nanowires

CHEN Ya-ting;WANG Jin-liang;CHEN Ze-sheng;QIN Shao-yang;BO Qian-hong

Online:2016-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过金属催化化学刻蚀的方法中的两步法制备出了具有阵列结构的硅纳米线,研究了不同刻蚀条件对硅纳米线形貌的影响,分析了形成不同形貌的原因.测定了不同条件下制备的硅纳米线的光吸收性能,总结了影响光吸收性能的因素和原因,根据硅纳米线的光吸收图求出了硅纳米线的禁带宽度,说明了硅纳米线已经具备不同于硅片的性能.

中图分类号:

陈亚婷;王金良;陈泽升;秦韶阳;薄乾红. 硅纳米线的制备及其光学性能的研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(8): 1998-2002.

CHEN Ya-ting;WANG Jin-liang;CHEN Ze-sheng;QIN Shao-yang;BO Qian-hong. Preparation and Optical Properties of Silicon Nanowires[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(8): 1998-2002.

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