HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (8): 2003-2010.

HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜

郭宇坤;周玉荣;陈瑱怡;马宁;刘丰珍

中国科学院大学,北京,101408;中国地质大学(北京),北京,100083

出版日期:2016-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CBA00705);青年教师科研启动基金(201524)

Preparation of B-doped nc-Si∶H Ultrathin Film Deposited by HWCVD under Low Temperature

GUO Yu-kun;ZHOU Yu-rong;CHEN Zhen-yi;MA Ning;LIU Feng-zhen

Online:2016-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(～30 nm)的硼掺杂硅薄膜.系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响.当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低.实验证实,当RH=55～70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区.快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率.在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜.

中图分类号:

O484

郭宇坤;周玉荣;陈瑱怡;马宁;刘丰珍. HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(8): 2003-2010.

GUO Yu-kun;ZHOU Yu-rong;CHEN Zhen-yi;MA Ning;LIU Feng-zhen. Preparation of B-doped nc-Si∶H Ultrathin Film Deposited by HWCVD under Low Temperature[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(8): 2003-2010.

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