摘要: 采用湿法腐蚀工艺,使用熔融态KOH和NaOH作为腐蚀剂,对一种物理气相传输(PVT)自发形核新工艺在2100~2250 ℃条件下生长的AlN单晶进行了腐蚀实验.通过实验及扫描电子显微镜(SEM)结果分析,得到了典型的AlN单晶c面、r系列面及m面最佳的腐蚀工艺参数及腐蚀形貌.另外,基于腐蚀形貌分析,发现了采用该自发形核新工艺生长的AlN晶体某些独特习性并计算出AlN单晶腐蚀坑密度(EPD).
中图分类号:
刘理想;曹凯;汪佳;任忠鸣;邓康;吴亮. 自发形核生长的AlN单晶湿法腐蚀研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(7): 1239-1243.
LIU Li-xiang;CAO Kai;WANG Jia;REN Zhong-ming;DENG Kang;WU Liang. Research on Wet-etching of AlN Single Crystals Grown by Spontaneous Nucleation[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2017, 46(7): 1239-1243.