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人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (1): 117-121.

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N掺杂LaAlO3电子结构的第一性原理研究

李强;谭兴毅   

  1. 湖北民族大学新材料与机电工程学院,恩施,445000;湖北民族大学新材料成型及装备技术产学研中心,恩施,445000
  • 出版日期:2019-01-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    湖北省自然科学基金(2014CFB619);湖北民族学院博士科研启动基金(MY2012B006)

First-principles Study on Electronic Structure of N-doped LaAlO3

LI Qiang;TAN Xing-yi   

  • Online:2019-01-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用第一性原理计算N掺杂LaAlO3的稳定性、电子结构和磁学性质.计算结果表明:N掺杂LaAlO3的结构稳定;而且从生成焓数值看,替位掺杂比间隙掺杂结构更稳定.形成能计算结果表明,还原环境比氧化环境更适合N掺杂,并且在还原环境下,NH3作为N源生成替位掺杂的LaAlO3-x Nx的形成能最小,即最容易形成替位掺杂.N替代LaAlO3中的O原子和位于LaAlO3晶胞间隙均产生铁磁性,其磁性均源于掺杂N-2p电子与体系价带顶O-2p电子间的p-p耦合作用.

关键词: LaAlO3;缺陷;磁学性质;电子结构;第一性原理

中图分类号: