定拉速生长对φ300 mm直拉硅单晶生长影响分析

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (5): 811-814.

定拉速生长对φ300 mm直拉硅单晶生长影响分析

高宇;朱亮;张俊;娄中士

浙江晶盛机电股份有限公司,绍兴,312300;内蒙古中环领先半导体材料有限公司,呼和浩特,010070

出版日期:2020-05-15 发布日期:2021-01-20

Analysis of φ300 mm Cz Silicon Single Crystal Growth with Constant Growth Rate

GAO Yu;ZHU Liang;ZHANG Jun;LOU Zhongshi

Online:2020-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 作为集成电路制备的衬底材料,对硅单晶的均匀性以及微缺陷的尺寸、密度要求极高.传统直拉法生长硅单晶过程中,通过拉速变化控制晶体直径,因此拉速始终处于波动状态.恒定拉速对晶体均匀性及缺陷密度、尺寸的影响研究较少.本研究实现了在35±0.7 mm/h的拉速范围内生长出直径300 mm硅单晶,对晶体片间和片内电阻率分布以及FPD缺陷分布进行了检测,结果显示,在更小拉速波动阶段,晶体的电阻率均匀性得到改善,FPD缺陷密度降低.

中图分类号:

O78
O613.72

高宇;朱亮;张俊;娄中士. 定拉速生长对φ300 mm直拉硅单晶生长影响分析[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 811-814.

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