4H-SiC半导体同质外延生长技术进展

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2128-2138.

所属专题：宽禁带半导体晶体与器件

4H-SiC半导体同质外延生长技术进展

冯淦;孙永强;钱卫宁;陈志霞

瀚天天成电子科技(厦门)有限公司,厦门 361101

出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点研发计划(2016YFB0400403)

Progress in Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Semiconductor

FENG Gan;SUN Yongqiang;QIAN Weining;CHEN Zhixia

Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 4H-SiC(碳化硅)半导体是制作高温、高频、大功率电力电子器件的理想电子材料,近20年来材料生长技术水平不断提升,材料品质逐步提高.本文首先介绍了4H-SiC半导体同质外延生长的必要性,结合SiC多晶型的结构特点,介绍了4H-SiC外延生长过程中的原位掺杂浓度控制、扩展缺陷控制、点缺陷控制及高速生长控制方面的技术进展.同时,介绍了国产4H-SiC外延产业化的现状.

关键词: 4H-SiC, 宽禁带半导体, 外延生长, 化学气相沉积

中图分类号:

TN304
TQ163

冯淦, 孙永强, 钱卫宁, 陈志霞. 4H-SiC半导体同质外延生长技术进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2128-2138.

FENG Gan, SUN Yongqiang, QIAN Weining, CHEN Zhixia. Progress in Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Semiconductor[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(11): 2128-2138.

[1]	高嘉庆, 屈小勇, 吴翔, 郭永刚, 王永冈, 汪梁, 谭新, 杨鑫泽. p型TOPCon结构的隧穿氧化和钝化工艺研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 133-138.
[2]	刘帅, 熊慧凡, 杨霞, 杨德仁, 皮孝东, 宋立辉. 电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1536-1541.
[3]	吴蕊, 胡洋, 唐荣芬, 阳倩, 王序, 吴怡逸, 聂登攀, 王环江. MOCVD生长ZnO薄膜的气相寄生反应路径研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1608-1619.
[4]	沈曦, 史永贵, 万玉慧, 付影, 马嘉恒, 杨浩东, 王艺佳. 腔体材料对氧化铜箔衬底上制备石墨烯的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1648-1654.
[5]	雷莎莎, 龚巧瑞, 赵呈春, 孙晓慧, 杭寅. 宽禁带半导体ZnGa₂O₄研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1289-1301.
[6]	代同光, 谭新, 宋志成, 郭永刚, 袁雅静, 倪玉凤, 汪梁. TOPCon太阳电池单面沉积Poly-Si的工艺研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 818-823.
[7]	徐玉琦, 李晴雯, 钟敏. 化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 841-847.
[8]	郭钰, 刘春俊, 张新河, 沈鹏远, 张博, 娄艳芳, 彭同华, 杨建. 碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 210-217.
[9]	李传皓, 李忠辉, 彭大青, 张东国, 杨乾坤, 罗伟科. 大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 252-257.
[10]	刘帅, 宋立辉, 杨德仁, 皮孝东. 4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2027-2042.
[11]	张盼, 庞国旺, 尹伟, 马亚斌, 张钧洲, 杨慧慧, 秦彦军. 高压下4H-SiC结构、电子和光学性质的理论研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2104-2112.
[12]	马超, 熊春艳, 徐源来, 赵培. 沉积温度对MOCVD法制备固体氧化物燃料电池GDC阻挡层性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2197-2204.
[13]	李阳, 曹昆, 介万奇. 热处理GaSb衬底对近距离升华法制备CdZnTe外延膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1705-1711.
[14]	张翅腾飞, 章嵩, 龚若程, 杨军伟, 宋华平. KCl溶液结晶辅助表征4H-SiC衬底中的微划痕[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1745-1751.
[15]	陈沛然, 焦腾, 陈威, 党新明, 刁肇悌, 李政达, 韩宇, 于含, 董鑫. p-Si/n-Ga₂O₃异质结制备与特性研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(1): 73-81.

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Progress in Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Semiconductor

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