变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (7): 1474-1479.

变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响

曲翔;徐继平;王海涛;何宇;王新;杨凯;王磊

有研半导体材料有限公司,北京,100088

出版日期:2018-07-15 发布日期:2021-01-20

Effect of Variable Temperatures Growing Polysilicon on Geometric Parameters of 8 inch Silicon Wafer

QU Xiang;XU Ji-ping;WANG Hai-tao;HE Yu;WANG Xin;YANG Kai;WANG Lei

Online:2018-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 随着硅片技术的不断发展,硅片背表面沉积多晶硅技术得到了广泛应用.在硅片背表面沉积多晶硅时,温度是其整个过程中最重要的控制参数.通过改变620℃与660℃沉积膜厚比例,测试不同膜厚比例的翘曲、弯曲、晶粒大小、洁净区深度等重要参数,并结合实际需求,确定了以先620℃沉积200 nm,再用660℃沉积600 nm的工艺.该工艺既能满足后道工序对于洁净区的要求,又能有效降低硅片的几何形变.

中图分类号:

O78
TM23

曲翔;徐继平;王海涛;何宇;王新;杨凯;王磊. 变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(7): 1474-1479.

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