MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (11): 2316-2321.

MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法

杨超普;方文卿;杨岚;刘彦峰;李春;阳帆;韩茜;张美丽

商洛学院化学工程与现代材料学院,商洛 726000;南昌大学材料科学与工程学院,南昌 330031;南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,南昌,330047;商洛学院化学工程与现代材料学院,商洛,726000;南昌大学材料科学与工程学院,南昌 330031;南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,南昌 330047

出版日期:2018-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项(2017YFB0403700);国家自然科学基金(61864008)

Measuring Method of In-situ Photoluminescence Spectra for MOCVD Epitaxy Growth

YANG Chao-pu;FANG Wen-qing;YANG Lan;LIU Yan-feng;LI Chun;YANG Fan;HAN Xi;ZHANG Mei-li

Online:2018-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为了实现MOCVD外延生长过程中的PL谱原位测量.利用经过特殊改造的M680红外测温石英光学探针、分支石英光纤、半导体激光器、光谱仪、OD值为6的单波陷波滤光片,在THOMAS SWAN CCS型MOCVD反应室上实现了Si(111)衬底GaN基InGaN/GaN MQW外延生长过程原位PL谱测量.研究结果表明:该原位PL谱测量系统,能够实现激发光的导人、PL谱信号的收集、反射激光及杂散光的过滤;当温度降低至600℃以下时,MOCVD反应室内红外辐射对PL测量的影响可以忽略;该原位PL谱测量方法可推广至Al2O3衬底外延生长.该研究可为MOCVD原位PL谱测量设备开发提供参考.

中图分类号:

TN305
O43

杨超普;方文卿;杨岚;刘彦峰;李春;阳帆;韩茜;张美丽. MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(11): 2316-2321.

YANG Chao-pu;FANG Wen-qing;YANG Lan;LIU Yan-feng;LI Chun;YANG Fan;HAN Xi;ZHANG Mei-li. Measuring Method of In-situ Photoluminescence Spectra for MOCVD Epitaxy Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(11): 2316-2321.

[1]	安康, 许光宇, 吴海平, 张亚琛, 张永康, 李利军, 李鸿, 张旭芳, 刘峰斌, 李成明. 金刚石化学机械抛光研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1675-1687.
[2]	陈峰武, 吕文利, 龚欣, 薛勇, 巩小亮. 分子束外延设备国内外进展及展望[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1494-1503.
[3]	谢贵久, 张文斌, 王岩, 宋振, 张兵. 碳化硅晶片减薄工艺对表面损伤的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(6): 967-972.
[4]	初学峰, 黄林茂, 张祺, 谢意含, 胡小军. 铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 848-854.
[5]	鲁雪松, 王万堂, 王蓉, 杨德仁, 皮孝东. 半导体碳化硅衬底的湿法氧化[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 181-193.
[6]	王维, 黄鸣, 常晓鱼, 张昊, 吴奇, 龙连春. 改进型单晶炉提拉系统偏心平衡研究[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(9): 1774-1779.
[7]	王硕, 杨发顺, 马奎. 多次热氧化削减硅通孔内壁扇贝纹[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(6): 1131-1137.
[8]	柯海鹏, 欧雪雯, 柯少颖. He离子注入对Ge中缺陷行为的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2244-2251.
[9]	马睿;王建彬;周超群;童勇强;徐义亮. 腐蚀法测量研磨蓝宝石亚表面损伤的实验研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2216-2221.
[10]	陈国美;倪自丰;钱善华;刘远祥;杜春宽;周凌;徐伊岑;赵永武. SiC晶片不同晶面的CMP抛光效果对比研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(1): 155-159.
[11]	汪已琳;任哲;赵志然;张威. 减压扩散高阻密栅技术应用研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(12): 2659-2662.
[12]	郭丽;武纹平;陈丽. 管式PECVD氮化硅薄膜不同退火环境的工艺研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(1): 231-234.
[13]	魏也;周兵;桑胜波;邓宵;柴晶;陈泽华;张文栋. 粒子束注入单晶硅尺寸效应的机理研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(6): 1064-1071.
[14]	刘春梅;王洋;吴元庆;张金晶;姚素英;陆晓东;周涛. 应用于生物荧光检测的微流控芯片的研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(6): 1160-1165.
[15]	郭钰;彭同华;刘春俊;袁文霞;蔡振立;张贺;王波. 影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(5): 759-765.