稀土正硅酸盐-Y2SiO5单晶体的提拉法生长

人工晶体学报 ›› 1998, Vol. 27 ›› Issue (1): 43-46.

稀土正硅酸盐-Y2SiO5单晶体的提拉法生长

张守都;王四亭;陈杏达;王浩炳;钟鹤裕;张顺兴;徐军

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:1998-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目

Czochralski Growth of Rare Earth Orthosilicates--Y2 SiO5 Single Crystals

Zhang Shoudu;Wang Siting;Chen Xingda;Wang Haobing;Zhong Heyu;Zhang Shunxing;Xu Jun

Online:1998-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用提拉法晶体生长工艺已成功地生长出正硅酸盐-Y2 SiO5单晶体.使用设备是一台中频感应加热炉.文中讨论了高光学质量掺Eu离子Y2 SiO5单晶体的生长工艺,已生长的晶体毛坯直径达35mm,长130mm、质量为460g、光学质量良好.

中图分类号:

张守都;王四亭;陈杏达;王浩炳;钟鹤裕;张顺兴;徐军. 稀土正硅酸盐-Y2SiO5单晶体的提拉法生长[J]. 人工晶体学报, 1998, 27(1): 43-46.

Zhang Shoudu;Wang Siting;Chen Xingda;Wang Haobing;Zhong Heyu;Zhang Shunxing;Xu Jun. Czochralski Growth of Rare Earth Orthosilicates--Y2 SiO5 Single Crystals[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1998, 27(1): 43-46.

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