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人工晶体学报 ›› 1998, Vol. 27 ›› Issue (2): 137-140.

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利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚石膜

廖克俊;王万录   

  1. 重庆大学应用物理系,重庆,400044
  • 出版日期:1998-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目

Heteroepitaxial Diamond Films Growth on Si(100) by Emission Electron Via Hot Filament CVD

Liao Kejun;Wang Wanlu   

  • Online:1998-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上获得了局域异质外延金刚石膜.由Raman背散射强度(在1332cm-1处)旋转角依赖关系表明,金刚石膜与Si(100)的定向关系为dia(100)∥Si(100)和dia[110]∥Si[110].在金刚石膜的成核阶段,位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压,获得的金刚石膜用扫描电镜和Raman谱表征.对实验结果进行了简要的讨论.

关键词: 异质外延金刚石膜;热灯丝CVD;发射电子;金刚石成核

中图分类号: