人工晶体学报

万永中;张卫;刘志杰;王季陶

1998, 27(2): 109-113.

摘要 ( 17 )

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基于非平衡热力学耦合模型计算得到三元体系中生长金刚石的等温、等压及竖直截面相图.这些相图中的金刚石生长区的形状和大小随温度、压力及氧含量等条件的改变而变化.高温时,金刚石生长区变小直至消失;中等温度时生长区最大;低温时又变小.压力的升高促使金刚石生长区变大.氧的加入总是引起需要更多的碳并使金刚石生长区向温度降低的方向移动.

Bridgman法生长Cr∶LiCAF晶体及其闪光灯泵浦性能

方珍意;黄朝恩;徐川;宋英兰;胡永岚;师瑞泽

1998, 27(2): 114-117.

摘要 ( 8 )

PDF (126KB) ( 18 )

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本文报道了用Bridgman法生长的优质大尺寸Cr∶LiCAF晶体及其闪光灯泵浦性能研究.晶体尺寸达φ10×120mm和φ20×100mm,光学质量优良.用氙灯泵浦φ4×70mm的Cr∶LiCAF激光棒,在注入能量为137J时,获得了1.84J的能量输出,测得晶体的斜效率为2.38;,无损耗效率为4.31;.

Eu∶Zn∶LiNbO3晶体全息存储性能的研究

赵业权;徐悟生;杨春晖;徐衍岭;徐玉恒;王继扬

1998, 27(2): 118-121.

摘要 ( 7 )

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在LiNbO3中掺进Eu2O3和ZnO生长Eu∶Zn∶LiNbO3晶体.采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数和衍射效率.以Eu∶Zn∶LiNbO3晶体作为存储元件,实现了全息关联存储.

静压触媒法人造金刚石晶体表面微形貌研究

何晓虹;储伟光;何林娜

1998, 27(2): 122-125.

摘要 ( 9 )

PDF (378KB) ( 19 )

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通过对六面顶压机和两面顶压机生产的静压触媒法人造金刚石晶体表面微形貌图案的研究,发现了人造金刚石晶体表面的胞状图案和枝蔓状+胞状+层状的组合图案.对这些形貌研究表明,这类人造金刚石晶体是在远离平衡的条件下快速长成的.

CVD金刚石薄膜表面的缺陷研究

周灵平;靳九成;李绍禄;颜永红;朱正华

1998, 27(2): 126-131.

摘要 ( 10 )

PDF (308KB) ( 22 )

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用SEM方法观察分析了CVD金刚石薄膜表面的缺陷形貌和结构,直观的两种缺陷为孪晶和孔洞.孪晶反映了晶粒的不完整性,它的产生取决于气相中活性分子的浓度与生长表面活性位数目的比值,孪晶比率随碳源浓度升高和衬底温度的降低而增大;孔洞反映了膜的不致密性,其产生与膜生长速率和衬底表面初始成核密度切相关,孔洞密度随碳源浓度升高和衬底温度的升高而增大.

CVD金刚石膜声学特性的激光超声研究

潘永东;钱梦騄;侯立;刘尔凯

1998, 27(2): 132-136.

摘要 ( 5 )

PDF (89KB) ( 18 )

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本文介绍了压电薄膜检测的激光超声系统对CVD金刚石膜声速测量的原理及方法.利用反射回波法对二块金刚石膜试样的纵波声速的测量结果为(2.010±0.014)×104m/s,证实了CVD金刚石膜的高声速特性.

利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚石膜

廖克俊;王万录

1998, 27(2): 137-140.

摘要 ( 10 )

PDF (139KB) ( 17 )

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本文利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上获得了局域异质外延金刚石膜.由Raman背散射强度(在1332cm-1处)旋转角依赖关系表明,金刚石膜与Si(100)的定向关系为dia(100)∥Si(100)和dia[110]∥Si[110].在金刚石膜的成核阶段,位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压,获得的金刚石膜用扫描电镜和Raman谱表征.对实验结果进行了简要的讨论.

定向凝固界面速率对机械牵引速率的响应

蔡英文;俞露;许振明;李建国;傅恒志

1998, 27(2): 141-145.

摘要 ( 11 )

PDF (135KB) ( 21 )

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通过传热分析,给出了定向凝固过程中界面速率对机械牵引速率的响应函数,指出在低速凝固条件下,界面速率可以视为与牵引速率相等;而在高速凝固时界面速率相对于牵引速率存在滞后现象.两个速率保持同步的上限值受到冷却环境、试样尺寸、合金热物理性质等的影响.液相前沿的温度梯度与冷却介质、加热方式以及合金体系有关.在此基础上,分析了实现稳定的亚快速定向凝固的条件.

氟化铅晶体中包裹体的显微观察与分析

任国浩;沈定中;王绍华;殷之文

1998, 27(2): 146-151.

摘要 ( 7 )

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本文根据偏光显微镜观察,把存在于立方氟化铅晶体中的包裹体分为三种类型:针状包裹体、板状包裹体和无规则形包裹体.根据EDS成分分析和XRD结构测定,认为针状包裹体的组成为铅的氧化物和氟氧化物,板状包裹体和无规则形包裹体为氟化铅的斜方相.针状包裹体是由于原料中的PbO杂质引起组分过冷而造成氧化铅和氟氧化铅小颗粒的定向排列.如果氧化物杂质含量不是很高,则通过掺入过量脱氧剂、提高固液界面处的温度梯度和降低下降速度,可以比较有效地减少甚至消除晶体中的针状包裹体.

退火温度对InP晶体中Er3+离子的发光特性影响的研究

张喜田;王玉玺

1998, 27(2): 152-155.

摘要 ( 3 )

PDF (61KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

利用离子注入法,以300keV的能量,7×1014cm-2的剂量,在室温下,对(100)InP晶体进行稀土(RE)元素Er的注入;分别在600℃、650℃、700℃、750℃、800℃温度下,采用安瓿闭管恒温退火20h.二次离子质谱仪(SIMS)观测到稀土元素Er原子在InP中的分布,直到800℃时几乎没有变化;在77K温度下,观测到InP中Er3+离子的1.54μm特征光致发光(PL)峰.提出退火温度对InP中Er3+离子的光致发光强度影响的机理.

ZrO2 (Y2O3) 增韧SiC中介结合的金刚石聚晶烧结体的相结构与性能

臧建兵;王明智;王艳辉

1998, 27(2): 156-159.

摘要 ( 9 )

PDF (133KB) ( 21 )

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本文采用恒沸腾水解法制备了颗粒度均一的亚微米晶ZrO2 (Y2O3)粉体,并以其为增韧相,在高温(1350℃)超高压(5GPa)条件下制备ZrO2 (Y2O3)+SiC+金刚石的聚晶烧结体(PCD).用XRD、SEM背散射分析、冲击韧性测定和磨耗比测定研究了不同含量Y2O3稳定的ZrO2粉体对SiC-金刚石聚晶烧结体结构及机械性能的影响,结果表明:ZrO2 (Y2O3)粉体中Y2O3含量＜2.2mol;时,ZrO2以四方t相+单斜m相的混合相形式存在于烧结体的结合剂基体上,t相量随Y2O3含量增加而增加,对SiC-金刚石聚晶烧结体的增韧来源于相变增韧和微裂纹增韧的叠加,当Y2O3含量＞2.2mol;时,ZrO2以100;t相存在,增韧机制为相变增韧.在2.0mol;～2.2mol;Y2O3含量范围内,PCD可获得较高的磨耗比和冲击韧性.

硅相增强锌铝基复合材料中团球硅晶体的形成

赵浩峰;王旭东

1998, 27(2): 160-163.

摘要 ( 7 )

PDF (240KB) ( 15 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了硅相增强锌铝基复合材料(ZA27SiX及ZA35SiX)中,硅晶体形态在钠作用下的变化,发现钠元素可使锌铝合金中的块状初生硅晶体变成球团状,共晶硅晶体能在球团硅晶体上辐射生长、成簇长大.对球硅晶体的形成机理进行了探讨.

合成β-SiCw的催化剂熔球机理研究

管英富;郭梦熊

1998, 27(2): 164-168.

摘要 ( 6 )

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本文用扫描电镜(SEM)研究了合成β-SiCw的反应过程和晶须的生长机理.通过对催化剂熔球的元素含量分析,发现β-SiCw的形成过程属气-液-固(VLS)三相反应过程,反应体系中含硅、碳的物质熔解在催化剂熔球中反应生成SiC,SiC在催化剂熔球的定向修正作用下沿(111)面结晶形成β-SiCw.用此方法合成β-SiCw反应速度快,晶须质量好,晶须生成率高.

大冷变形对化学镀Ni-Sn-P非晶态合金晶化的影响

于金库;冯皓;邢广忠;邵光杰;沈德久;王玉林

1998, 27(2): 169-172.

摘要 ( 5 )

PDF (95KB) ( 15 )

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本文研究了大冷变形对化学镀Ni-Sn-P非晶合金晶化的影响,结果表明,冷变形促进了晶化,不仅降低了Ni-Sn-P非晶合金的热稳定性,而且在冷变形过程中就有晶化产生.

介质环境对TGFB晶体生长的影响

闫智英;鲍慈光;杨宗璐

1998, 27(2): 173-177.

摘要 ( 6 )

PDF (120KB) ( 15 )

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本文精确测定了pH值在1.4～3.0,温度在300.15～319.15K范围内氟铍酸三甘肽(简称TGFB)的溶解度,拟合出溶解度与pH值的经验方程.用静态体视显微法测定了溶液的pH值,溶液中杂质离子(FeF-36,SiF2-6)浓度及表面活性剂(十二烷基磺酸钠,十六烷基三甲基溴化铵)浓度与TGFB(110)晶面生长速率的关系曲线,并进一步讨论了它们的影响机理.

钒酸钇(Nd3+：YVO4；YVO4)晶体的原料合成

位民;李敢生;诸月梅;吴喜泉;俞振森;滕硕

1998, 27(2): 178-181.

摘要 ( 9 )

PDF (67KB) ( 20 )

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本文介绍了钒酸钇(Nd3+:YVO4;YVO4)剩料最多的固相和液相合成方法.使用该法合成的原料用提拉法生长出φ30×40mm～φ35×40mm的优质大尺寸单晶.剩料最多可以重复使用10～15次,仍能生长出优质晶体.

中国科技期刊排行表

1998, 27(2): 181.

摘要 ( 5 )

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人工生长白宝石单晶结构的TEM衍射测定

马胜利;卢正欣;井晓天

1998, 27(2): 182-184.

摘要 ( 8 )

PDF (164KB) ( 15 )

相关文章 | 计量指标

用透射电镜选区电子衍射(TEM)方法测试了导模法生长的白宝石单晶体的晶体结构和点阵常数.测试结果表明,人工生长的白宝石单晶为六方结构,点阵常数a=0.476nm,c=1.301nm,晶胞常数比c/a=2.735.

助熔剂法晶体生长计算机控制系统研究

周以齐;张建川;潘恒福;刘耀岗;魏景谦;王继扬

1998, 27(2): 185-190.

摘要 ( 9 )

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根据助熔剂法晶体生长的基本要求,试制了一种基于PC总线的高精度计算机温度控制系统,系统硬件总体结构包括由温度信号采集,远程信号传输,控制命令变频传输,功率信号放大及电流反馈控制等功能模块.控制软件建立在Windows环境下,由Genie 2.0图控组件平台和利用VB 3.0开发的数据管理控制模块两个部分组成.文中讨论了主要的软硬件结构,并介绍了连续高温控温实验的结果.

锡溶液中半导体单晶CuSi2P3的生长与结构分析

1998, 27(2): 191.

摘要 ( 24 )

PDF (84KB) ( 25 )

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