退火温度对InP晶体中Er3+离子的发光特性影响的研究

人工晶体学报 ›› 1998, Vol. 27 ›› Issue (2): 152-155.

退火温度对InP晶体中Er3+离子的发光特性影响的研究

张喜田;王玉玺

哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨,150080

出版日期:1998-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
哈尔滨师范大学校科研和教改项目

Study of the Influence of Annealing Temperature on Luminescence Characteristics of the Er3+ Ions in InP Crystal

Zhang Xitian;Wang Yuxi

Online:1998-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用离子注入法,以300keV的能量,7×1014cm-2的剂量,在室温下,对(100)InP晶体进行稀土(RE)元素Er的注入;分别在600℃、650℃、700℃、750℃、800℃温度下,采用安瓿闭管恒温退火20h.二次离子质谱仪(SIMS)观测到稀土元素Er原子在InP中的分布,直到800℃时几乎没有变化;在77K温度下,观测到InP中Er3+离子的1.54μm特征光致发光(PL)峰.提出退火温度对InP中Er3+离子的光致发光强度影响的机理.

中图分类号:

张喜田;王玉玺. 退火温度对InP晶体中Er3+离子的发光特性影响的研究[J]. 人工晶体学报, 1998, 27(2): 152-155.

Zhang Xitian;Wang Yuxi. Study of the Influence of Annealing Temperature on Luminescence Characteristics of the Er3+ Ions in InP Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 1998, 27(2): 152-155.

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