摘要: 本文用扫描电镜(SEM)研究了合成β-SiCw的反应过程和晶须的生长机理.通过对催化剂熔球的元素含量分析,发现β-SiCw的形成过程属气-液-固(VLS)三相反应过程,反应体系中含硅、碳的物质熔解在催化剂熔球中反应生成SiC,SiC在催化剂熔球的定向修正作用下沿(111)面结晶形成β-SiCw.用此方法合成β-SiCw反应速度快,晶须质量好,晶须生成率高.
中图分类号:
管英富;郭梦熊. 合成β-SiCw的催化剂熔球机理研究[J]. 人工晶体学报, 1998, 27(2): 164-168.
Guan Yingfu;Guo Mengxiong. Mechanism Studies of Molten Catalytic Spheres on Synthesizing β-SiCw[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1998, 27(2): 164-168.
[1] | 周玄, 程国峰, 何代华. InSeI单晶的制备及其结构与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2252-2255. |
[2] | 段欢, 崔瑞瑞, 邓朝勇. Ba2YAlO5∶Eu3+, Na+荧光粉的合成和光致发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2302-2307. |
[3] | 张汉宏, 叶帅, 张帆. 钙钛矿单晶的合成研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2389-2397. |
[4] | 张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983. |
[5] | 李方直;胡磊;田爱琴;江灵荣;张立群;李德尧;池田昌夫;刘建平;杨辉. GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1996-2012. |
[6] | 蒋府龙;许非凡;刘召军;刘斌;郑有炓. 氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2013-2023. |
[7] | 任国强;刘宗亮;李腾坤;徐科. 氮化镓单晶的液相生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2024-2037. |
[8] | 李金钗;高娜;林伟;蔡端俊;黄凯;李书平;康俊勇. AlGaN量子结构及其紫外光源应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2068-2078. |
[9] | 吴峰;戴江南;陈长清. AlGaN基深紫外发光二极管研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2079-2097. |
[10] | 刘梦婷;韩杰才;王先杰;宋波. 氮化铝纳米结构的生长与物性研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2098-2121. |
[11] | 柏松;李士颜;费晨曦;刘强;金晓行;郝凤斌;黄润华;杨勇. 新一代SiC功率MOSFET器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2122-2127. |
[12] | 王艳丰;王宏兴. MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2139-2152. |
[13] | 白旭东;胡皓阳;蒋俊;李荣斌;申慧;徐家跃;金敏. SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2153-2160. |
[14] | 胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210. |
[15] | 李一村;舒国阳;刘刚;郝晓斌;赵继文;张森;刘康;曹文鑫;代兵;杨磊;朱嘉琦;曹康丽;韩杰才. MPCVD单晶金刚石初始及断续生长界面的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1765-1769. |
阅读次数 | ||||||
全文 |
|
|||||
摘要 |
|
|||||