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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (6): 1031-1034.

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化学机械抛光作用与单晶基片超光滑表面的获取

徐晓冬   

  1. 郑州经济管理学院计算机系,郑州,450052;合肥科晶材料技术有限公司,合肥,230031
  • 出版日期:2004-12-15 发布日期:2021-01-20

CMP Effect and Super-smooth Surface Acquirement

  • Online:2004-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 单晶基片的表面光洁度指标是影响后续薄膜生长质量的重要因素.本文通过对比实验的方法,就采用CMP(chemical mechanical polish)工艺获取超光滑单晶基片做了深入的观察研究,并通过AFM(atomicforce microscope)的最终检测结果给出具有说服力的结论.

关键词: 单晶基片;化学机械抛光;超光滑表面

中图分类号: