热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 471-474.

热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜

周怀恩;陈光华;朱秀红;阴生毅;胡跃辉

北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028201-1)

High Quality a-Si:H Thin Films Deposited Using MW ECR CVD System Assisted by Hot Filament

ZHOU Huai-en;CHEN Guang-hua;ZHU Xiu-hong;YIN Sheng-yi;HU Yue-hui

Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用.本文采用热丝辅助MWECR CVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR＞2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD＞105)的氢化非晶硅薄膜.实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H2稀释率,有利于薄膜光电特性的改善.

中图分类号:

TN304

周怀恩;陈光华;朱秀红;阴生毅;胡跃辉. 热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(3): 471-474.

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