Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (4): 649-652.

Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角

王元樟;陈路;巫艳;吴俊;于梅芳;方维政;何力

中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083

出版日期:2005-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60221502)

Tilted Angels of ZnTe and CdTe Epilayers Grown on Si(211) and GaAs(211)B Substrates by MBE

WANG Yuan-Zhang;CHEN Lu;WU Yan;WU Jun;YU Mei-Fang;FANG Wei-zheng;HE Li

Online:2005-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用X射线双晶衍射二次测量法对φ76mm Si(211)和GaAs(211)B衬底上生长的ZnTe和CdTe外延层的晶向倾角进行了测量,发现对于Si和GaAs衬底,外延层的[211]均绕外延层与衬底的[0-11]复合轴朝[111]倾斜,其晶向倾角与晶格失配呈线性关系;通过实际测量验证了在外延层探测到的[133]峰代表[211]关于[111]旋转180°的[255]孪晶向.

中图分类号:

O472

王元樟;陈路;巫艳;吴俊;于梅芳;方维政;何力. Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(4): 649-652.

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