VHF-PECVD法制备氢化硅薄膜及单结电池

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1122-1125.

VHF-PECVD法制备氢化硅薄膜及单结电池

吴志猛;雷青松;赵颖;耿新华;奚建平

上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海,200030;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20

Hydrogented Microcrystalline Silicon Films and Single Junction Solar Cell by VHF-PECVD

WU Zhi-meng;LEI Qing-song;ZHAO Ying;GENG Xin-hua;XI Jian-ping

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用VHF-PECVD分解硅烷和氢气的混合气体来制备本征微晶硅薄膜.运用拉曼散射和X射线衍射研究了不同硅烷浓度对薄膜的影响.随着硅烷浓度的增加,沉积速率和光敏性增加而晶化率下降.将优化的本征材料应用到pin电池中,得到本征层厚度约为1μm的微晶电池,效率达5.87;.

中图分类号:

TN304.055

吴志猛;雷青松;赵颖;耿新华;奚建平. VHF-PECVD法制备氢化硅薄膜及单结电池[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 1122-1125.

WU Zhi-meng;LEI Qing-song;ZHAO Ying;GENG Xin-hua;XI Jian-ping. Hydrogented Microcrystalline Silicon Films and Single Junction Solar Cell by VHF-PECVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(6): 1122-1125.

[1]	钟琼丽, 王绪, 马奎, 杨发顺. Al掺杂对β-Ga₂O₃薄膜光学性质的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1352-1360.
[2]	魏也;周兵;桑胜波;邓宵;柴晶;陈泽华;张文栋. 粒子束注入单晶硅尺寸效应的机理研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(6): 1064-1071.
[3]	张化福;类成新;刘汉法;袁长坤. 直流反应磁控溅射法制备ZnO: Zr透明导电薄膜[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(4): 977-981.
[4]	张化福;陈钦生;刘汉法. 靶与衬底之间的距离对ZnO:Zr透明导电薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(6): 1412-1416.
[5]	袁玉珍;王辉;张化福;刘汉法;刘云燕. 膜厚对Zr,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜结构和光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(1): 169-173.
[6]	晏春愉;高斐;张佳雯;方晓玲;刘伟;孙杰;权乃承. 用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 705-709.
[7]	冯祝;万云芳. 溅射功率对ZnO∶Si透明导电薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(10): 2080-2086.
[8]	丁子舰, 颜世琪, 徐希凡, 辛倩. 脉冲激光沉积α相氧化镓薄膜及其日盲光电探测器[J]. 人工晶体学报, 0, (): 1-.
[9]	张子琦, 杨珍妮, 况思良, 魏盛龙, 徐文静, 陈端阳, 齐红基, 张洪良. MBE同质外延生长Sn掺杂β-Ga₂O₃(010)薄膜的电子输运性质研究[J]. 人工晶体学报, 0, (): 1-.
[10]	董增印, 王英民, 张嵩, 李贺, 孙科伟, 程红娟, 刘超. HVPE法同质外延氧化镓厚膜技术研究 [J]. 人工晶体学报, 0, (): 1-.
[11]	李雄杰, 宁平凡, 陈世澳, 乔思博, 程红娟, 王英民, 牛萍娟. 不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga₂O₃雾化学气相沉积法生长研究 [J]. 人工晶体学报, 0, (): 1-.