用升华法生长SiC晶体的一种新颖的坩埚设计

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 155-158.

用升华法生长SiC晶体的一种新颖的坩埚设计

张群社;陈治明;蒲红斌;李留臣;封先锋

西安理工大学自动化与信息工程学院,西安,710048

出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20

A Novel Design of Crucible for Sublimation Growth of SiC Single Crystals

ZHANG Qun-she;CHEN Zhi-ming;PU Hong-bin;LI Liu-chen;FENG Xian-feng

Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文提出一个用PVT法生长SiC晶体的坩埚的新颖设计.分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响;比较了档板取不同厚度时SiC粉源升华面和籽晶表面的温度分布.得出了在腔内增设档板后晶体生长面的温度更趋均匀的结论;获取了随着档板厚度的增加,腔内的轴向温度梯度随之增加,但同时晶体生长面的温度也会降低的设计原则.根据计算结果,选取档板厚度等于2mm为优化参数.

中图分类号:

O782

张群社;陈治明;蒲红斌;李留臣;封先锋. 用升华法生长SiC晶体的一种新颖的坩埚设计[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(1): 155-158.

ZHANG Qun-she;CHEN Zhi-ming;PU Hong-bin;LI Liu-chen;FENG Xian-feng. A Novel Design of Crucible for Sublimation Growth of SiC Single Crystals[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(1): 155-158.

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