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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (4): 696-701.

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数值模拟自然对流对直拉单晶硅的影响

宇慧平;隋允康;王敬;安国平   

  1. 北京工业大学机电学院,北京,100022;北京有色金属研究总院,北京,100088
  • 出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    北京工业大学校科研和教改项目(127-00227)

Numerical Simulation of the Natural Convection Influence on Silicon Single Crystal by CZ

YU Hui-ping;SUI Yun-kang;WANG Jing;AN Guo-ping   

  • Online:2006-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 在直拉单晶硅生长的过程中,自然对流对晶体界面的形状、温度场及应力分布影响很大.本文采用二维模型对熔体内自然对流对单晶硅的影响作了数值模拟,在低雷诺数时采用层流模型,高雷诺数时采用紊流模型,Gr的变化范围从3×106到3×1010,这样涵盖了从小尺寸到大尺寸的直拉单晶硅生长系统.数值结果表明熔体的流动状态不仅与熔体的Gr有关,还与熔体高度和坩埚半径的比值密切相关.当Gr>108时,熔体内确实存在紊流现象,层流模型不再适合, 随着Gr的增大,紊流现象加剧,轴心处的等温线变得更为陡峭,不利于晶体生长.

关键词: 直拉单晶硅;自然对流;数值模拟

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