不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (4): 781-784.

不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响

张群社;陈治明;李留臣;蒲红斌;封先锋;陈曦

西安理工大学自动化与信息工程学院,西安,710048

出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
陕西省重大项目(2004K07-G9);西安理工大学校科研和教改项目

Effect of Different Coupling Widths on Induction Heating in the Large Size SiC Growth System

ZHANG Qun-she;CHEN Zhi-ming;LI Liu-chen;PU Hong-bin;FENG Xian-feng;CHEN Xi

Online:2006-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸SiC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响;分析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需时间的不同.得出了在中频电源的输出功率和频率都不变的前提下,在线圈匝数已固定的条件下,通过缩小耦合间隙可以提高系统的加热效率,缩短系统达到热平衡状态所需时间的结论.

中图分类号:

张群社;陈治明;李留臣;蒲红斌;封先锋;陈曦. 不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(4): 781-784.

ZHANG Qun-she;CHEN Zhi-ming;LI Liu-chen;PU Hong-bin;FENG Xian-feng;CHEN Xi. Effect of Different Coupling Widths on Induction Heating in the Large Size SiC Growth System[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(4): 781-784.

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