6H-SiC晶片的退火处理

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (5): 949-952.

6H-SiC晶片的退火处理

姜守振;李娟;陈秀芳;王英民;宁丽娜;于光伟;胡小波;徐现刚;王继杨;蒋民华

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2006-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东省半导体照明工程关键技术;教育部跨世纪优秀人才培养计划

Annealing Treatment of 6H-SiC Wafers

JIANG Shou-zhen;LI Juan;CHEN Xiu-fang;WNAG Ying-min;NING Li-na;YU Guang-wei;HU Xiao-bo;XU Xian-gang;WANG Ji-yang;JIANG Min-hua

Online:2006-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.

中图分类号:

姜守振;李娟;陈秀芳;王英民;宁丽娜;于光伟;胡小波;徐现刚;王继杨;蒋民华. 6H-SiC晶片的退火处理[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(5): 949-952.

JIANG Shou-zhen;LI Juan;CHEN Xiu-fang;WNAG Ying-min;NING Li-na;YU Guang-wei;HU Xiao-bo;XU Xian-gang;WANG Ji-yang;JIANG Min-hua. Annealing Treatment of 6H-SiC Wafers[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(5): 949-952.

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