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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (5): 953-957.

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用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜

杨大鹏;赵永年;李英爱;苏作鹏;杜勇慧;吉晓瑞;杨旭昕;宫希亮;张铁臣   

  1. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023
  • 出版日期:2006-10-15 发布日期:2021-01-20

Growth of Cubic Boron Nitride Thin Film on c-BN Crystal Substrate by RF Magnetron Sputtering

YANG Da-peng;ZHAO Yong-nian;LI Ying-ai;SU Zuo-peng;DU Yong-hui;JI Xiao-rui;YANG Xu-xin;GONG Xi-liang;ZHANG Tie-chen   

  • Online:2006-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜.岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来.同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶.

关键词: 高结晶度;生长速率;生长模式

中图分类号: