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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (6): 1203-1208.

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采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜

朱秀红;陈光华;刘国汉;丁毅;何斌;张文理;马占洁;郜志华;李志中   

  1. 北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;兰州大学物理系,兰州,730000
  • 出版日期:2006-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028201-1)

Preparation of High-quality Hydrogenated Microcrystalline Silicon Thin Films Using Two-step-pressure Method

ZHU Xiu-hong;CHEN Guang-hua;LIU Guo-han;DING Yi;HE Bin;ZHANG Wen-li;MA Zhan-jie;GAO Zhi-hua;LI Zhi-zhong   

  • Online:2006-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出了采用两步法来制备高质量微晶硅薄膜的方法.即先采用高压制备薄膜2min,减小非晶转微晶的孵化层厚度,然后再采用低压制备薄膜18min,提高薄膜的致密度及减小氧含量,最后制备出了光敏性较高,晶化比较大并且光照稳定性也较好的优质氢化微晶硅薄膜.

关键词: 微晶硅;沉积速度;晶化比;孵化层;稳定性

中图分类号: