薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (6): 1313-1317.

薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

陈新亮;薛俊明;孙建;任慧志;张德坤;赵颖;耿新华

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,30071;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

出版日期:2006-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
天津市自然科学基金(043604911);天津市科技攻关项目(043186511)

Effect of Film Thickness on the ZnO Thin Film as TCO Grown by MOCVD Technique

CHEN Xin-liang;XUE Jun-ming;SUN Jian;REN Hui-zhi;ZHANG De-kun;ZHAO Ying;GENG Xin-hua

Online:2006-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,随着薄膜厚度的增加,ZnO薄膜(110)峰趋于择优取向,且晶粒逐渐长大,薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜;Hall测量表明,较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性,可归于晶粒长大和晶体质量提高.40min沉积时间(膜厚为1250nm)制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构,其晶粒尺寸为300～500nm,电阻率为7.9×10-3Ω·cm,迁移率为26.8cm2/Vs.

中图分类号:

TN304

陈新亮;薛俊明;孙建;任慧志;张德坤;赵颖;耿新华. 薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(6): 1313-1317.

CHEN Xin-liang;XUE Jun-ming;SUN Jian;REN Hui-zhi;ZHANG De-kun;ZHAO Ying;GENG Xin-hua. Effect of Film Thickness on the ZnO Thin Film as TCO Grown by MOCVD Technique[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(6): 1313-1317.

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