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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (6): 1359-1362.

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坩埚预处理技术在氮化铝晶体生长工艺中的应用

武红磊;郑瑞生;孙秀明;罗飞;杨帆;刘文;敬守勇   

  1. 深圳大学光电子学研究所,深圳,518060
  • 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(60376003;60576005);广东省自然科学基金(04011297);教育部科学技术基金([2005]3号);深圳市科技计划费用项目(200517)

Application of Pretreated Crucible Technology to the Growth of AlN Crystals

WU Hong-lei;ZHENG Rui-sheng;SUN Xiu-ming;LUO Fei;YANG Fan;LIU Wen;JING Shou-yong   

  • Published:2021-01-20

摘要: 在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一.实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在氮气环境下进行一次高温处理,使钨坩埚体与盖接触的部位形成碳化钨保护层,可以有效地解决高温下钨坩埚体与盖相粘结的问题,大大提高了坩埚的使用寿命.使用经过预处理的钨坩埚,用物理气相法生长出φ0.8mm×1.5mm氮化铝单晶体和φ36mm×5mm氮化铝多晶片.

关键词: 氮化铝晶体;物理气相传输;坩埚

中图分类号: