红外非线性晶体ZnGeP2的生长及品质研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (3): 507-511.

红外非线性晶体ZnGeP2的生长及品质研究

吴海信;倪友保;耿磊;毛明生;王振友;程干超;杨琳

中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031

出版日期:2007-06-15 发布日期:2021-01-20

Investigation of Infrared Nonlinear Crystal Material ZnGeP2

WU Hai-xin;NI You-bao;GENG Lei;MAO Ming-sheng;WANG Zhen-you;CHENG Gan-chao;YANG Lin

Online:2007-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用高温元素反应法直接合成ZnGeP2多晶料,用竖式Bridgman法生长出ZnGeP2单晶,晶体棒毛坯尺寸达φ15×70mm3.对多晶料和单晶体进行了X射线粉末衍射(XRD)、低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测;对晶体切片进行退火处理,使得在2μm吸收系数降到α＝0.10cm-1;加工出一块5×6×6.5mm3的晶体倍频元件,在一台射频激励CO2激光器上实现了从9.24μm到4.26μm的倍频.

中图分类号:

吴海信;倪友保;耿磊;毛明生;王振友;程干超;杨琳. 红外非线性晶体ZnGeP2的生长及品质研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(3): 507-511.

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