硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (3): 578-583.

硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究

索开南;张维连;赵嘉鹏;周子鹏

河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

出版日期:2007-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河北省自然科学基金(E2004000061)

Thermoelectric Properties of Czochralski GeSi Crystal

SUO Kai-nan;ZHANG Wei-lian;ZHAO Jia-peng;ZHOU Zi-peng

Online:2007-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的硅锗合金以及Si、Ge单晶在300～1100K温度范围内,Seebeck系数随温度的变化.并对组分相同导电类型不同、晶向不同以及结晶状态不同的样品的Seebeck系数进行了比较.在研究温度区间,Seebeck系数的绝对值大小一般在200～600μV/K之间,随温度不同连续变化.通过对比发现SiGe合金的Seebeck系数大小不仅与Ge的浓度和温度有关,其他因素对其绝对值也有影响,其中晶向最为明显,表现出了明显的各向异性.此外,材料本身的电阻率除了作为一个热电参数影响最优值外,其大小还对Seebeck系数的绝对值有影响,即掺杂济浓度对Seebeck系数的影响.

中图分类号:

TN24

索开南;张维连;赵嘉鹏;周子鹏. 硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(3): 578-583.

SUO Kai-nan;ZHANG Wei-lian;ZHAO Jia-peng;ZHOU Zi-peng. Thermoelectric Properties of Czochralski GeSi Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(3): 578-583.

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