退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (6): 1279-1282.

退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响

郑海务;孙利杰;张杨;张伟风;顾玉宗;傅竹西

河南大学物理与电子学院微系统物理研究所,开封,475004;中国科学技术大学物理系,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,合肥,230026;河南大学物理与电子学院微系统物理研究所,开封,475004

出版日期:2007-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50472009;50532070;10474091);河南省高校创新人才培养项目(2002006);河南大学校科研基金(06YBZR022)

Effects of Annealing Temperature on the Photoluminescence of ZnO Films on 6H-SiC Substrates

ZHENG Hai-wu;SUN Li-jie;ZHANG Yang;ZHANG Wei-feng;GU Yu-zong;FU Zhu-xi

Online:2007-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶-凝胶方法,在6H-SiC衬底上制备ZnO薄膜.X射线衍射结果表明薄膜是c轴取向的,具有六方纤锌矿多晶结构.研究了退火温度对ZnO薄膜发光特性的影响.发现在650℃退火温度下,观察到近带边紫外发射和可见光发射并且紫外发光强度大于可见光发射.随着退火温度的提高,紫外峰强度减弱直至消失,而绿光发射强度先增加而后降低.对退火温度引起ZnO薄膜发光性质改变的机制进行了探讨.

中图分类号:

O472

郑海务;孙利杰;张杨;张伟风;顾玉宗;傅竹西. 退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(6): 1279-1282.

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