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人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 102-103.
徐岳生;刘彩池;王海云;张雯;石义情
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RSS出版日期:2008-02-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:XU Yue-sheng;LIU Cai-chi;WANG Hai-yun;ZHANG Wen;SHI Yi-qing
Online:2008-02-15
Published:2021-01-20
摘要： 本文通过在磁场下测定硅熔体的粘度,根据ηeff=(μBb)2σ关系式,间接计算出硅熔体的电导率.其结果与用其他方法测试的数值吻合.用电子导电、离子导电的变化,解释了硅熔体在1420～1690℃范围电导率的变化,研究结果对指导大直径硅单晶生长具有实际意义.
中图分类号:
徐岳生;刘彩池;王海云;张雯;石义情. 半导体硅熔体电导率的间接测量[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(1): 102-103.
XU Yue-sheng;LIU Cai-chi;WANG Hai-yun;ZHANG Wen;SHI Yi-qing. Indirect Measurement of Conductivity of Silicon Melt[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(1): 102-103.
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