欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 分享到:

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 70-75.

• • 上一篇    下一篇

HfO2薄膜反应磁控溅射沉积工艺的研究

贺琦;王宏斌;张树玉;吕反修;杨海;苏小平   

  1. 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;太原理工大学表面工程研究所,太原,030024;北京有色金属研究总院,北京,100088;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083
  • 出版日期:2008-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50572007);高等学校博士学科点专项科研项目(20040008018)

Study of the Deposition of HfO2 Thin Films by Reactive Magnetron Sputtering Process

HE Qi;WANG Hong-bin;ZHANG Shu-yu;LU Fan-xiu;YANG Hai;SU Xiao-ping   

  • Online:2008-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用纯铪(Hf)金属靶,在氧和氩反应气氛中进行了HfO2薄膜反应磁控溅射沉积,研究了电源功率、O2/Ar比例和工作气压对薄膜组成及薄膜沉积过程的影响.对制备的HfO2薄膜进行了退火处理,利用X射线衍射仪(GIXRD)、红外波谱仪(FT-IR)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)表征了退火前后HfO2薄膜的显微结构、组织组成及红外透过性能.采用胶带测试测定了HfO2薄膜的附着性能.本研究得到了优化的沉积工艺参数.

关键词: HfO2薄膜;反应磁控溅射沉积;红外透过率

中图分类号: