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人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1145-1147.

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ThSiO4:V4+晶体的光谱及EPR参量的理论研究

黄永平   

  1. 宜宾学院物理与电子工程系,宜宾,644007
  • 出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    宜宾学院校科研和教改项目(QJ05-10)

Theoretical Studies of the Optical Spectra and EPR Parameters for V4+ in ThSiO4 Crystal

HUANG Yong-ping   

  • Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 基于晶体场理论,采用3d1离子在D2d对称中的晶场能级公式和EPR参量高阶微扰公式,计算了ThSiO4:V4+晶体的光谱和电子顺磁共振(EPR)参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥.计算结果与实验发现很好吻合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了V4+杂质中心缺陷结构的信息.对上述结果进行了讨论.

关键词: 晶体场理论;电子顺磁共振参量;缺陷结构;ThSiO4;V4+晶体

中图分类号: