不同衬底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制备

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (6): 1505-1509.

不同衬底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制备

马蕾;张雷;王侠;彭英才

河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2008-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河北省自然科学基金(E2008000626);河北大学校科研和教改项目(2006Q21)

Fabrication of Large Grain Polycrystalline Silicon Films on Different Substrates

MA Lei;ZHANG Lei;WANG Xia;PENG Ying-cai

Online:2008-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用高频感应加热化学气相沉积(HFCVD)工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,分别在n-(111)Si衬底上常规热生长的SiO2层、织构的SiO2层和纳米晶粒多晶Si薄膜表面上,制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、密度分布与择优取向等结构特征.结果表明,多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与衬底温度、SiH4浓度与反应气压等工艺参数有关,而且强烈依赖于衬底的表面状态.本实验获得的最好的薄膜中,Si晶粒平均尺寸约为2.3 μm,密度分布约为3.8×107/cm2.对薄膜的沉积机理分析表明,衬底表面上Si原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着大晶粒多晶Si膜的生长.

中图分类号:

马蕾;张雷;王侠;彭英才. 不同衬底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制备[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(6): 1505-1509.

MA Lei;ZHANG Lei;WANG Xia;PENG Ying-cai. Fabrication of Large Grain Polycrystalline Silicon Films on Different Substrates[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(6): 1505-1509.

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