ZnGeP2单晶生长温场研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 552-555.

ZnGeP2单晶生长温场研究

孙永强;赵北君;朱世富;赵欣;杨慧光;程江;张羽;陈宝军;何知宇

四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50672061;50732005);国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA03Z443)

Study on Temperature Field for ZnGeP2 Single Crystal Growth

SUN Yong-qiang;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;ZHAO Xin;YANG Hui-guang;CHENG Jiang;ZHANG Yu;CHEN Bao-jun;HE Zhi-yu

Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 根据ZnGeP2(ZGP)晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布.采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达15 mm×35 mm.对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿(101)面解理,其回摆峰尖锐无劈裂.对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2～12 μm波段内红外透过率达45;以上.研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高.

中图分类号:

孙永强;赵北君;朱世富;赵欣;杨慧光;程江;张羽;陈宝军;何知宇. ZnGeP2单晶生长温场研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 552-555.

SUN Yong-qiang;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;ZHAO Xin;YANG Hui-guang;CHENG Jiang;ZHANG Yu;CHEN Bao-jun;HE Zhi-yu. Study on Temperature Field for ZnGeP2 Single Crystal Growth[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(3): 552-555.

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