氧分压对化学气相沉积法合成ZnO纳米结构形貌的影响

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 657-661.

氧分压对化学气相沉积法合成ZnO纳米结构形貌的影响

冯程程;周明;吴春霞;马伟伟;李刚;蔡兰

江苏大学光子制造中心,镇江,212013

出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金重点项目(50435030)

Effect of Oxygen Partial Pressure on the Morphology of ZnO Nanostructure Prepared by Chemical Vapor Deposition

FENG Cheng-cheng;ZHOU Ming;WU Chun-xia;MA Wei-wei;LI Gang;CAI Lan

Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文利用化学气相沉积(CVD)法在镀有Au(10 nm)膜的单晶Si(100)上制备了ZnO薄膜,并研究了不同的氧分压对ZnO形貌的影响.借助扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、结晶质量和晶体生长取向进行了表征.结果表明:当O2分压较小的时候,O2只能与Zn团簇的某些界面发生反应并逐渐结晶生成层状的ZnO微米团簇.当 O2分压较大的时候,ZnO通过二次生长形成由微米柱阵列和表面无序纳米线构成的分层复合结构,并且表面纳米线的密度随着氧分压的增加而增加.高分辨透射电镜(HRTEM)和选取电子衍射(SAED)分析表明,单根纳米线是沿[001]方向生长的ZnO单晶.

中图分类号:

O484

冯程程;周明;吴春霞;马伟伟;李刚;蔡兰. 氧分压对化学气相沉积法合成ZnO纳米结构形貌的影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 657-661.

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