ZnGeP2晶体的合成与生长

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 812-812.

ZnGeP2晶体的合成与生长

杨春晖;王猛;夏士兴;孙亮;朱崇强;吕维强;姚宝权;王月珠

哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学可调谐激光技术国防科技重点实验室,哈尔滨,150001

出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(E50872023);黑龙江省科技攻关项目(GC05A205)

Synthesis and Growth of ZnGeP2 Crystals

YANG Chun-hui;WANG Meng;XIA Shi-xing;SUN Liang;ZHU Chong-qiang;LV Wei-qiang;YAO Bao-quan;WANG Yue-zhu

Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用双温区法合成ZnGeP2多晶料;采用布里奇曼法生长ZnGeP2单晶,晶体尺寸为22×90 mm2.晶体透光范围0.7～12.0 μm,平均透过率达到56;;OPO光参量震荡器件尺寸6×6×15 mm3,采用2 μm的泵浦光,产生4 W以上的3.8～4.5 μm激光输出.

中图分类号:

杨春晖;王猛;夏士兴;孙亮;朱崇强;吕维强;姚宝权;王月珠. ZnGeP2晶体的合成与生长[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 812-812.

YANG Chun-hui;WANG Meng;XIA Shi-xing;SUN Liang;ZHU Chong-qiang;LV Wei-qiang;YAO Bao-quan;WANG Yue-zhu. Synthesis and Growth of ZnGeP2 Crystals[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(3): 812-812.

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