ZnO:Al衬底上低温生长GaN薄膜

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 299-303.

ZnO:Al衬底上低温生长GaN薄膜

杨智慧;秦福文;吴爱民;宋世巍;刘胜芳;陈伟绩

大连理工大学三束材料改性重点实验室,大连,116024

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20

Growth of GaN Films on ZnO:Al Substrate at Low Temperature

YANG Zhi-hui;QIN Fu-wen;WU Ai-min;SONG Shi-wei;LIU Sheng-fang;CHEN Wei-ji

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.

中图分类号:

TN304.2+3

杨智慧;秦福文;吴爱民;宋世巍;刘胜芳;陈伟绩. ZnO:Al衬底上低温生长GaN薄膜[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 299-303.

YANG Zhi-hui;QIN Fu-wen;WU Ai-min;SONG Shi-wei;LIU Sheng-fang;CHEN Wei-ji. Growth of GaN Films on ZnO:Al Substrate at Low Temperature[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2010, 39(2): 299-303.