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人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (1): 166-169.

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薄膜厚度对 Mn-W 共掺杂 ZnO 透明导电薄膜性能的影响

张化福;刘瑞金;刘汉法   

  1. 山东理工大学理学院,淄博,255049
  • 出版日期:2011-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    山东省自然科学基金(ZR2009GQ011)

Effect of Film Thickness on the Properties of Transparent Conductive Mn-W Co-doped Zinc Oxide Films

ZHANG Hua-fu;LIU Rui-jin;LIU Han-fa   

  • Online:2011-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用直流磁控溅射法在低温玻璃衬底上制备了高导电透明的 Mn-W 共掺杂 ZnO(ZMWO)薄膜,并研究了厚度对薄膜结构、光学及电学性能的影响.X 射线衍射结果表明 ZMWO 均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的 c 轴择优取向.薄膜厚度对 ZMWO 薄膜的晶化程度、电阻率和方块电阻有很大影响.当薄膜厚度从97 nm 增大到456 nm 时,ZMWO 薄膜的晶化程度提高,而电阻率和方块电阻减小.当厚度为 456 nm 时,所制备ZMWO 薄膜的电阻率达到最小,其值仅为8.8×10-5 Ω·cm,方块电阻为1.9 Ω/□.所有薄膜样品在可见光区的平均透过率都较高,其值约为89;.当薄膜厚度从97 nm 增大到 456 nm时,光学带隙从3.41 eV增大到3.52 eV.

关键词: 薄膜厚度;Mn-W 共掺杂 ZnO;透明导电薄膜;磁控溅射

中图分类号: