CdZnTe晶片表面钝化后的热处理研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (5): 1107-1110.

CdZnTe晶片表面钝化后的热处理研究

刘勇;朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇;丁群

四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:2011-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60276030);博士点基金(20020610023)

Annealing after Surface Passivation of CdZnTe Wafers

LIU Yong;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;CHEN Bao-jun;HE Zhi-yu;DING Qun

Online:2011-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 报道了CdZnTe晶片表面钝化后,热处理工艺对其性能的影响.先采用30;的H2O2钝化抛光好的CdZnTe 晶片,然后在恒温干燥箱中进行热处理；最后使用ZC36微电流测试仪、EDX能谱仪和扫描电镜(SEM)研究热处理对钝化后的CdZnTe晶片表面的电学性能、表面成分以及表面形貌的影响.分析表明:CdZnTe钝化后在大气氛围120℃下热处理40 min,表面H2TeO3、H6TeO6等分解较为完全,晶片表面氧化层分布均匀,表面漏电流显著减小,晶体电阻率提高1～2个数量级,对提高探测器的性能有重要作用.

中图分类号:

刘勇;朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇;丁群. CdZnTe晶片表面钝化后的热处理研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(5): 1107-1110.

LIU Yong;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;CHEN Bao-jun;HE Zhi-yu;DING Qun. Annealing after Surface Passivation of CdZnTe Wafers[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(5): 1107-1110.

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