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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (2): 306-311.

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Te溶剂-Bridgman法Cd0.9Mn0.1Te晶体生长习性研究

郑昕;杜园园;王涛;介万奇;齐阳;栾丽君   

  1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072;西北工业大学材料学院,西安710072;长安大学材料科学与工程学院,西安,710061
  • 出版日期:2012-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50872111;50902113;50902114);国家重点基础研究发展计划(973)(2011CB610406);中国111项目(B08040);西北工业大学基础研究基金;西北工业大学凝固技术国家重点实验室研究基金

Study on Cd0.9Mn0.1Te Growth Behavior by Te Solvent-Bridgman Method

ZHENG Xin;DU Yuan-yuan;WANG Tao;JIE Wan-qi;QI Yang;LUAN Li-jun   

  • Online:2012-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为φ30 mm× 60 mm的Cd0.9Mn0.1Te:In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌.测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻;采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界;采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌.测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60;,电阻率达到2.828×1011Ω · cm.位错密度在106 cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104 cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭.生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面.但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹.

关键词: Cd0.9Mn0.1Te晶体;Te溶剂-Bridgman法;红外透过率;电阻率;位错

中图分类号: