流态化多晶硅化学气相沉积过程的数值模拟

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (4): 942-949.

流态化多晶硅化学气相沉积过程的数值模拟

张攀;王伟文;陈光辉;李建隆

青岛科技大学机电工程学院,青岛,266061;青岛科技大学化工学院,青岛,266043

出版日期:2012-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东省自然科学基金(ZR2011BQ006);青岛市科技发展计划(12-1-4-3-(1)-jch)

Simulation of Polycrystalline Silicon Chemical Vapor Deposition in Fluidized Bed

ZHANG Pan;WANG Wei-wen;CHEN Guang-hui;LI Jian-long

Online:2012-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用基于欧拉-欧拉两相流模型,建立硅烷热分解的均相和非均相反应模型,模拟了二维流态化的多晶硅化学气相沉积过程,以及硅烷、硅烯和硅沉积速率在反应器中的分布规律.模拟结果表明多晶硅的沉积主要发生在流化床中的密相区及气泡的周围,浓度相对较小的硅烯非均相反应对多晶硅沉积的贡献约为硅烷的10;.分析了硅烷入口浓度和反应温度对硅沉积速率及转化率的影响,模拟的硅沉积速率与文献中的实验数据做了比较.

中图分类号:

张攀;王伟文;陈光辉;李建隆. 流态化多晶硅化学气相沉积过程的数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(4): 942-949.

ZHANG Pan;WANG Wei-wen;CHEN Guang-hui;LI Jian-long. Simulation of Polycrystalline Silicon Chemical Vapor Deposition in Fluidized Bed[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(4): 942-949.

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