光学浮区法生长Si∶β-Ga2O3单晶及其光谱研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (4): 607-610.

光学浮区法生长Si∶β-Ga2O3单晶及其光谱研究

王璐璐;夏长泰;赛青林;狄聚青;牟菲

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2013-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
江苏省高校优势学科建设工程资助项目;国家自然科学基金(51075211,51275230);教育部博士点基金(20113218110018);南京航空航天大学研究生创新基金(kfjj20110226)

Growth and Optical Properties of Si∶β-Ga2O3 Single Crystal by Floating Zone Method

WANG Lu-lu;XIA Chang-tai;SAI Qing-lin;DI Ju-qing;MOU Fei

Online:2013-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用浮区法生长了质量较好的Si∶β-Ga2O3单晶,直径约为8mm,长度约为2 cm.进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si∶β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3格位中；在室温下测试了Si∶β-Ga2O3吸收光谱,吸收截止边约为255 nm,并分析了退火对吸收截止边的影响；测试了荧光发射谱,研究了不同激发波长对其紫外及紫色波段发光的影响.

中图分类号:

王璐璐;夏长泰;赛青林;狄聚青;牟菲. 光学浮区法生长Si∶β-Ga2O3单晶及其光谱研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(4): 607-610.

WANG Lu-lu;XIA Chang-tai;SAI Qing-lin;DI Ju-qing;MOU Fei. Growth and Optical Properties of Si∶β-Ga2O3 Single Crystal by Floating Zone Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(4): 607-610.

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