导模法蓝宝石单晶的位错缺陷及其力学性能的研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (7): 1252-1256.

导模法蓝宝石单晶的位错缺陷及其力学性能的研究

胡克艳;唐慧丽;王静雅;钱小波;徐军;杨秋红

上海大学电子信息材料系,上海200072;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;上海大学电子信息材料系,上海,200072

出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
长江学者和创新团队发展计划(IRT1059)

Research on Mechenical Properties and Dislocation Defects of Sapphire Crystal Grown by Edge-Defined Film-Fed Method

HU Ke-yan;TANG Hui-li;WANG Jing-ya;QIAN Xiao-bo;XU Jun;YANG Qiu-hong

Online:2013-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用导模法生长了a向,尺寸为60 mm ×5 mm ×300 mm的蓝宝石单晶片,采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了其(0001)晶面的位错特征,并且采用INSTRON-1195万能试验机测试了抛光样品的弯曲强度.结果显示:当晶体中位错缺陷分布均匀时,在外部弯曲应力下,蓝宝石晶体发生特定晶面的高强解理断裂,位错密度的升高对蓝宝石弯曲强度没有明显损害作用.然而当晶体中出现位错密排结构时,蓝宝石单晶常温弯曲强度迅速下降.

中图分类号:

O771

胡克艳;唐慧丽;王静雅;钱小波;徐军;杨秋红. 导模法蓝宝石单晶的位错缺陷及其力学性能的研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(7): 1252-1256.

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