氮化镓晶体的氨热法生长进展

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (7): 1293-1298.

氮化镓晶体的氨热法生长进展

何小玲;张昌龙;周海涛;左艳彬;覃世杰;王金亮

中国有色桂林矿产地质研究院有限公司广西超硬材料重点实验室,国家特种矿物材料工程技术研究中心,桂林541004

出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
广西自然科学基金重点??桂科自0991005Z)

Progress of the Ammonothermal Growth of GaN Crystals

HE Xiao-ling;ZHANG Chang-long;ZHOU Hai-tao;ZUO Yan-bin;QIN Shi-jie;WANG Jin-liang

Online:2013-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： GaN作为性能最为优异的第三代半导体材料,其高质量的衬底材料的研发是目前乃至近5年的研究热点,而最好的衬底材料即为GaN体单晶.在为数不多的GaN体单晶的几种生长方法中,氨热法被普遍认为是生长GaN体单晶的一种很有前途的方法.本文主要论述了在不同矿化剂生长条件下GaN晶体的氨热法生长进展,指出了存在的问题,并给出了一些解决办法.

中图分类号:

O782+.9

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