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人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (7): 1315-1318.

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低应力铌酸锂电光调Q开关的研究

王富章;陈彬;孙军;?挤煞?张玲;胡永钊;许京军   

  1. 中国电子科技集团公司第二十七研究所,郑州,450000;郑州铁路职业技术学院,郑州,450052;南开大学物理学院,天津,300071
  • 出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(61108055)

Research on Lower Stress Lithium Niobate Electro-optical Q-switches

WANG Fu-zhang;CHEN Bin;SUN Jun;DOU Fei-fei;ZHANG Ling;HU Yong-zhao;XU Jing-jun   

  • Online:2013-07-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文分析了铌酸锂晶体应力,按照来源包括热应力、缺陷应力、加工应力和晶体受到的外力等.对铌酸锂晶体热处理时固溶体脱溶问题的初步分析,采用合适的工艺对晶体毛坯进行了去应力热处理;在调Q开关制作时开发了弹性装配技术取代传统的硬性夹持方案,消除了夹持应力对电光调Q开关的影响.制备的铌酸锂电光调Q开关得到了实际应用,有效提高了激光器工作的温度稳定性.

关键词: 铌酸锂;调Q开关;应力

中图分类号: