基于声发射的单晶SiC材料去除机理研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (1): 134-142.

基于声发射的单晶SiC材料去除机理研究

李淑娟;崔丹;王小雪;王乐;王肖烨

西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安,710048

出版日期:2014-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51175420);陕西省教育厅基金(11JS074,12JK0668)

Study on the Material Removal Mechanism of SiC Single Crystal Based on Acoustic Emission

LI Shu-juan;CUI Dan;WANG Xiao-xue;WANG Le;WANG Xiao-ye

Online:2014-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 根据声发射理论,采用金刚石刀具在自动划痕仪上进行SiC单晶塑脆转换的临界条件实验,建立了SiC划痕实验过程中的声发射(AE)信号模型,利用扫描电镜(SEM)观察SiC单晶的表面形貌.结果表明,SiC划痕过程中也存在着明显的声发射Kaiser效应点,表面的划痕和切屑也表明该单晶材料同其它典型硬脆材料如玻璃和硅类似,材料去除存在着塑性到脆性的转换过程,同时分析了划痕过程中的微细粉末状碎屑的产生机理和刀具角度与塑脆转换的关系.

中图分类号:

TH162

李淑娟;崔丹;王小雪;王乐;王肖烨. 基于声发射的单晶SiC材料去除机理研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(1): 134-142.

LI Shu-juan;CUI Dan;WANG Xiao-xue;WANG Le;WANG Xiao-ye. Study on the Material Removal Mechanism of SiC Single Crystal Based on Acoustic Emission[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(1): 134-142.

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