Ar和H2气氛退火CdZnTe表面的XPS研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (10): 2487-2491.

Ar和H2气氛退火CdZnTe表面的XPS研究

郭欣;介万奇;何亦辉;周岩;王涛

西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2014-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50902114,51202197,51372205);国家重大仪器设备科学仪器开发专项;高等学校博士学科点专项科研基金(20116102120014)

XPS Analysis on the Surface of CdZnTe Annealed in Ar and H2 Atmosphere

GUO Xin;JIE Wan-qi;HE Yi-hui;ZHOU Yan;WANG Tao

Online:2014-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 对CZT晶体进行了相同温度条件下Ar和H2气氛退火实验研究.利用XPS的离子溅射深度剖析对比分析了退火前和不同气氛退火后CZT晶体表面成分和价态的变化,并以上述变化为依据,推测了退火前CZT晶体的表面结构和成分以及退火过程中气体与CZT晶体表面发生的化学反应.结果表明,相比Ar气氛退火,H2气氛退火后因为TeO2和富Te层会先后和H2发生化学反应而大量减少,可以有效地去除TeO2和富Te层,增大H与CZT的接触面积,促进H与CZT的进一步反应.

中图分类号:

TQ163

郭欣;介万奇;何亦辉;周岩;王涛. Ar和H2气氛退火CdZnTe表面的XPS研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(10): 2487-2491.

GUO Xin;JIE Wan-qi;HE Yi-hui;ZHOU Yan;WANG Tao. XPS Analysis on the Surface of CdZnTe Annealed in Ar and H2 Atmosphere[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(10): 2487-2491.

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