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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (10): 2534-2539.

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不同pH值下ZTS晶体(100)面台阶生长动力学规律和位错缺陷的研究

程旻;康道远;宋森;李明伟;张小莉   

  1. 重庆大学动力工程学院,低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室,重庆400030
  • 出版日期:2014-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中央高校基本科研业务费(CDJZR13140015)

Research of Step Growth Kinetics and Dislocation Defects on the (100) Face of ZTS Crystal under Different pH Values

CHENG Min;KANG Dao-yuan;SONG Sen;LI Ming-wei;ZHANG Xiao-li   

  • Online:2014-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 通过利用光学显微镜,对不同pH值下ZTS晶体(100)面的台阶推移过程进行了实时观察,发现在同一过饱和度下,调高生长溶液的pH值会导致台阶推移速率降低;而调低pH值时,台阶的平均推移速率增大,当pH =4.2时,(100)面生长速度最快.计算出不同pH值下的台阶动力学系数βl和台阶活化能E的数值.对不同pH值下生长出的ZTS晶体的(100)面进行了位错缺陷观察,发现pH =4.2时,位错密度较低,有利于晶体生长质量的提高.

关键词: ZTS晶体;pH值;台阶推移速率;动力学;位错缺陷

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