高温垂直Bridgman法生长Zn1-xMgxTe晶体

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 727-732.

高温垂直Bridgman法生长Zn1-xMgxTe晶体

刘国和;李焕勇;张海洋;王小军;靳英坤

西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51072164)

Growth of Zn1-xMgxTe Crystal by High Temperature Vertical Bridgman Method

LIU Guo-he;LI Huan-yong;ZHANG Hai-yang;WANG Xiao-jun;JIN Ying-kun

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用高温垂直Bridgman法,以ZnTe(5N)、Mg(5N)和Te(7N)为初始原料,在高温下成功生长出了尺寸为φ15mm×50 mm的Zn1-xMgxTe晶体.分别采用X射线衍射、紫外可见分光光度计和红外光谱仪研究了晶体的结构及光学性质,通过PL谱和化学腐蚀的方法分析了晶体的结晶质量.结果表明:所生长的晶体具有立方相结构,晶格常数为0.61585 nm,略大于ZnTe晶格常数,晶锭中质量最好部分的晶片红外和紫外透过率接近60;,室温下其禁带宽度约为2.37 eV.77 K温度下,PL谱中存在A和B两个主要的发光带,位错腐蚀坑密度在105 cm-2数量级.

中图分类号:

TN304.2

刘国和;李焕勇;张海洋;王小军;靳英坤. 高温垂直Bridgman法生长Zn1-xMgxTe晶体[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 727-732.

LIU Guo-he;LI Huan-yong;ZHANG Hai-yang;WANG Xiao-jun;JIN Ying-kun. Growth of Zn1-xMgxTe Crystal by High Temperature Vertical Bridgman Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(4): 727-732.

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